SJ 1480-1979
Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG130 (Englische Version)
- Standard-Nr.
- SJ 1480-1979
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 1980
- Organisation
- Professional Standard - Electron
- Zustand
- 2016-09
- ersetzt durch
- SJ/T 1480-2016
- Letzte Version
- SJ/T 1480-2016
SJ 1480-1979 Veröffentlichungsverlauf
- 2016 SJ/T 1480-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3CG130 vom Typ Silizium-PNP-Hochfrequenz-Niederleistungstransistor
- 1980 SJ 1480-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG130
SJ 1480-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG130 ha sido cambiado a SJ/T 1480-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3CG130 vom Typ Silizium-PNP-Hochfrequenz-Niederleistungstransistor.
