SJ 1477-1979
Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG120 (Englische Version)
- Standard-Nr.
- SJ 1477-1979
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 1980
- Organisation
- Professional Standard - Electron
- Zustand
- 2016-09
- ersetzt durch
- SJ/T 1477-2016
- Letzte Version
- SJ/T 1477-2016
SJ 1477-1979 Veröffentlichungsverlauf
- 2016 SJ/T 1477-2016 Detaillierte Spezifikationen für diskrete Halbleiterbauelemente vom Typ 3CG120, Silizium-PNP-Hochfrequenz-Transistor mit geringer Leistung
- 1980 SJ 1477-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG120
SJ 1477-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG120 ha sido cambiado a SJ/T 1477-2016 Detaillierte Spezifikationen für diskrete Halbleiterbauelemente vom Typ 3CG120, Silizium-PNP-Hochfrequenz-Transistor mit geringer Leistung.
