2016SJ/T 1472-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3CG110 vom Typ Silizium-PNP-Hochfrequenz-Niederleistungstransistor
1980SJ 1472-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG110
SJ 1472-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG110 ha sido cambiado a SJ/T 1472-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3CG110 vom Typ Silizium-PNP-Hochfrequenz-Niederleistungstransistor.