2016SJ/T 1839-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK108 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung
1982SJ 1839-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK108
SJ 1839-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK108 ha sido cambiado a SJ/T 1839-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK108 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung.