SJ 1834-1981
Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK104 (Englische Version)

Standard-Nr.
SJ 1834-1981
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
1982
Organisation
Professional Standard - Electron
Zustand
 2016-09
ersetzt durch
SJ/T 1834-2016
Letzte Version
SJ/T 1834-2016

SJ 1834-1981 Veröffentlichungsverlauf

  • 2016 SJ/T 1834-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK104 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung
  • 1982 SJ 1834-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK104

SJ 1834-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK104 ha sido cambiado a SJ/T 1834-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK104 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung.

Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK104



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