2016SJ/T 1834-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK104 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung
1982SJ 1834-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK104
SJ 1834-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK104 ha sido cambiado a SJ/T 1834-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK104 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung.