2016SJ/T 1833-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK103 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch
1982SJ 1833-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK103
SJ 1833-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK103 ha sido cambiado a SJ/T 1833-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK103 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch.