2016SJ/T 1832-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK102 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch
1982SJ 1832-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK102
SJ 1832-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK102 ha sido cambiado a SJ/T 1832-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK102 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch.