2016SJ/T 1831-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK28 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch
1982SJ 1831-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK28
SJ 1831-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK28 ha sido cambiado a SJ/T 1831-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK28 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch.