2016SJ/T 1830-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK101 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung
1982SJ 1830-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK101
SJ 1830-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK101 ha sido cambiado a SJ/T 1830-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK101 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringer Leistung.