SJ 795-1974
Detaillierte Spezifikation für epitaxiale planare Silizium-NPN-Hochfrequenztransistoren mit geringem Stromverbrauch und geringem Rauschen, Typ 3DG142 (Englische Version)

Standard-Nr.
SJ 795-1974
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
1974
Organisation
Professional Standard - Electron
Zustand
 2010-02
Letzte Version
SJ 795-1974

SJ 795-1974 Veröffentlichungsverlauf

  • 1974 SJ 795-1974 Detaillierte Spezifikation für epitaxiale planare Silizium-NPN-Hochfrequenztransistoren mit geringem Stromverbrauch und geringem Rauschen, Typ 3DG142
Detaillierte Spezifikation für epitaxiale planare Silizium-NPN-Hochfrequenztransistoren mit geringem Stromverbrauch und geringem Rauschen, Typ 3DG142



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