SJ 2380-1983
Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3CD555, 3CD556 und 3CD655 (Englische Version)

Standard-Nr.
SJ 2380-1983
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
1983
Organisation
Professional Standard - Electron
Zustand
 2010-02
Letzte Version
SJ 2380-1983

SJ 2380-1983 Veröffentlichungsverlauf

  • 1983 SJ 2380-1983 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3CD555, 3CD556 und 3CD655
Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3CD555, 3CD556 und 3CD655



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