SJ 2282-1983
Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Superhochfrequenz-Transistoren mit geringem Rauschen und geringer Leistung, Typ 3DG143 (Englische Version)

Standard-Nr.
SJ 2282-1983
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
1983
Organisation
Professional Standard - Electron
Zustand
 2010-02
Letzte Version
SJ 2282-1983

SJ 2282-1983 Veröffentlichungsverlauf

  • 1983 SJ 2282-1983 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Superhochfrequenz-Transistoren mit geringem Rauschen und geringer Leistung, Typ 3DG143
Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Superhochfrequenz-Transistoren mit geringem Rauschen und geringer Leistung, Typ 3DG143



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