IEC 63275-1:2022
Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die Zuverlässigkeit von diskreten Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Prüfverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
- Standard-Nr.
- IEC 63275-1:2022
- Erscheinungsdatum
- 2022
- Organisation
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Letzte Version
- IEC 63275-1:2022
IEC 63275-1:2022 Veröffentlichungsverlauf
- 2022 IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die Zuverlässigkeit von diskreten Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Prüfverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
