KS C IEC 60747-2-1-2006(2016)
Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), für Umgebungstemperatur und Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A

Standard-Nr.

KS C IEC 60747-2-1-2006(2016)

Erscheinungsdatum

2006

Organisation

Korean Agency for Technology and Standards (KATS)

Zustand

ersetzt werden 2021-01

ersetzt durch

KS C IEC 60747-2-1-2021

Letzte Version

KS C IEC 60747-2-1-2021

KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Veröffentlichungsverlauf

• 2021 KS C IEC 60747-2-1-2021 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), für Umgebungstemperatur und Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
• 0000 KS C IEC 60747-2-1-2006(2016)
• 2006 KS C IEC 60747-2-1:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), für Umgebungstemperatur und Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
• 0000 KS C IEC 60747-2-1:2001